大国院士 - 第980章 真正意义上的降维打击!

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    产品发布会的现场,一片寂静。
    所有人都呆滞而又震撼的看着台上那枚小小的碳基芯片。
    当然震撼过后,紧随而来的便是嘈杂的议论声。
    28纳米的进程工艺,每平方毫米集成一千万颗碳基晶体管,性能竟然堪堪比英特尔至强系列的e5-1600处理器,能够对标英特尔酷睿i系列七代的水准。
    在现场绝大部分人的眼中,就算是碳基晶体管在半导体领域的性能比硅基晶体管要优秀,也不可能做到这种程度。
    要知道,英特尔酷睿i系列的七代,采用的可是14纳米的进程。
    别看28纳米和14纳米进程之间的差距只有一倍,但落实到芯片的生产技术上,那提升的可不止一星半点。
    因为28纳米芯片是中高端制造的分水岭,28纳米进程及之下的芯片属于成熟制成,是中低段级别的芯片。
    主要用在物联网、电源管理、显示驱动、传感器等工业层。
    而14纳米进程的芯片则属于高端级别的芯片,属于先进制程,主要用在手机、内存芯片、电脑等消费层。
    通过成熟制成技术制备出来的芯片,能够堪比先进制程制备的芯片,这很难不让人怀疑到底是不是真的。
    毕竟这要是放到硅基芯片领域,绝对是不可能发生的事情。
    28纳米进程和14纳米进程有着犹如天地般巨大的差别。
    报告台上,看着台下嘈杂的人群,听着那时不时传来的微弱声音,付志杰脸上紧张的神情反而不自觉的放松了下来,脸上也浮现出了一抹自信的神色。
    不敢相信是对的!
    如果雄芯系列碳基芯片不是他亲自参与研发的,就连他自己恐怕都难以相信碳基芯片可以做到这样一个程度。
    就像是他当初第一次见到成品的时候,那份心情至今他都还记得。
    目光在台下的人群中扫视了一圈后,付志杰嘴边挂上了一丝笑容,紧接着继续主持产品发布会。
    “相信大家都已经看到了我们的雄芯系列产品,其性能远超同级的硅基芯片。”
    “当然碳基芯片的优势,不仅仅在于计算性能!”
    “它在给我们提供了远超硅基芯片计算能力的基础上,同时给我们带来了更为出色的物理性能!”
    “无论是采用碳纳米管制造,相较于传统硅基芯片更加轻薄,可为各种小型电子设备提供有效的解决方案。”
    “还是具有更强的耐热性、耐辐射能力和更高的电子迁移速率等特性,因此可以更好地抵抗外界环境扰动,提供更加稳定可靠的运行性能。”
    “以及最为关键的热导率!”
    说到这,付志杰的话语微微顿了顿,目光在台下前排坐着的各大半导体厂商高管脸上扫视而过。
    “众所周知!”
    “相对比硅材料来说,碳材料的热导率要更加的优秀。”
    “硅基芯片中使用的单晶硅材料,其导热率在室温下约为148 w/(m·k)。”
    “而碳基芯片中使用的碳纳米管材料,其热导率足足高达3000w/mk以上!”
    “优秀的热导率,意味着无论是应用碳基芯片的手机、电脑、亦或者服务器等各种电子产品,都将不再需要厚重的辅助散热器!”
    “这也意味着,无论是手机还是电脑,亦或者是平板等各种产品,在设计上拥有着更加宽裕的空间。”
    “就拿我们现在所使用的手机来说,如果是应用碳基芯片,那么它的厚度还能够继续往下降低,而且减弱的幅度,至少是以毫米为单位的!”
    当听到了这句话的瞬间,在场几乎所有人脸上都露出惊讶的神色。
    现代的芯片在运行的时候会产生大量的热量,比如手机。
    长时间玩游戏、看视频或进行大量数据传输会使手机长时间处于高负荷状态,产生大量热量。
    而这些热量如果堆积在芯片内部不传导出去,过高的温度会导致芯片性能下降,甚至出现死机、蓝屏等故障。
    除此之外,高温会加速电子元件的老化,缩短设备的使用寿命。
    甚至在一些极端的情况下,过热可能引发手机失火,爆炸等等安全事故。
    除此之外,还有电脑,尤其是便携式笔记本电脑。
    如果追求高性能,必然会增加芯片的性能,而芯片的性能提升,在运行时散发的热量会更高。
    一般来说,为了解决芯片散热问题,各种厂商提供的方法有多种。
    比如在处理器的下面安装一个导热片,或者添加导热凝胶,亦或者是直接上导热管,通过水冷或风冷的方式来将热量导出去等等。
    而对应的,无论是哪一种散热方式,都会直接影响到设备本身的体积。
    尤其是在手机这种本身就并不算大的电子产品上,哪怕是添加一块石墨烯导热片,也就增加不少的厚度。
    君不见从手机发展至今,各大厂商为了消减手机的厚度想了多少的办法。
    优化内部布局和设计,减少不必要的空间占用那都是常规操作。
    有些手机厂商甚至为了降低的0.01毫米的厚度,干出过降低电池厚度,减少续航,杀敌八百自损一千这种事。
    这种事情听起很荒唐,但其实很多。
    尤其是在早期的时候,手机的堆迭能力和电池的电芯技术进步不大时,想要一款轻薄的手机,往往都是通过直接减少电池容量来获取多余的机身空间。
    这样可以更方便压缩机身体积,其中最出名的莫过于曾经的“妥妥用一天”了。
    但如果是芯片的材料本身就具备高散热性呢?
    要知道,碳纳米材料的导热性,相对比硅基材料来说要优秀上百倍了。
    石墨烯材料之所以被用作高端手机的散热片,不就是因为它的导热系数非常高吗?
    而和石墨烯物理性质类似的碳纳米管,其导热系数同样不会差到哪里去。
    这对于芯片来说,意味着什么不言而喻。
    即便是不考虑碳基芯片本身的低功耗,它本身优秀到极点的导热系数也足够它自发性的将热量散发出去了。
    这对于芯片的应用来说,可谓是绝杀般的存在!
    当这场产品发布会进展到这里的时候,台下就已经止不住的骚动了起来。
    无论是半导体厂商还是相关的手机电脑厂商,都在纷纷议论着。
    看着已经几乎沸腾的会场,站在台上的付志杰微微一笑,接着给这场火热的产品发布会添了一把柴薪。
    “在这里,我们必须要感谢我们的合作单位,无论是华威海思、亦或者是中芯国际、还是水木、北大等高校的科研团队,都在此刻碳基芯片的研发过程中提供无与伦比的帮助。”
    “正如大家所预想的一样,碳基芯片对于整个电子产业的影响将是颠覆性的!”
    “对比同级别进程硅基芯片,碳基芯片无论是计算处理性能、还是在功耗性能、可靠性、安全性、稳定性等各方面都有显著的提升。”
    “这意味着未来我们的智能手机、pc、大型服务器等等设备在处理复杂任务时,响应速度和多任务处理能力都将得到大幅提升,为用户提供了前所未有的流畅体验。”
    “而由碳纳米管材料所构成的芯片,相对比单晶硅材料的天生不足来说,具备着更更广阔的空间。”
    “如果说硅基芯片就像是一副纸画,计算电路是平铺在纸面上的,那么碳基芯片则更像是一栋由积木迭搭起来的高楼大厦。”
    “这是从二维到三维的立体转变,也意味着它具有更多构造和设计电路图的可能性,也意味着它具备着实现数倍于硅基芯片功能的可能!”
    伴随着他的介绍,身后舞台的荧幕上也同步放出了碳基芯片与硅基芯片的内部细节构造图。
    尽管这只是通过计算机绘制的微观图案,但却最真实的还原了两者之间的区别。
    当发布会现场大屏上的那张对比图放出来的时候,在场几乎所有人,无论是英特尔的总裁帕特·格尔辛格,还是苹果的总裁副总裁蒂姆·米勒,脸上无一例外地不是露出了惊诧的表情。
    而现场更是传来阵阵骚动的声音。
    能够来参加今天的产品发布会的,可以说除去政府蔀门的人员外,其他的全都是半导体领域的工程师、高管或学者。
    然而就是这样一群站在半导体这个领域金字塔的人,此刻却宛如小学生上课一般,呆呆的看着讲台。
    利用大量的碳纳米管像积木组装一样搭建成宏观的芯片,这的确是理论上碳基芯片的优势。
    但就目前各国以及相关的研究机构在碳基芯片上的研究来看,根本就不可能做到这一点。
    目前来说,实现碳基芯片最好、最成熟的方法就是通过超高半导体纯度、顺排、高密度和大面积均匀的单壁碳纳米管阵列,然后依次排列,如同硅基芯片一般进行迭加光刻。
    这是碳基芯片研究了十几年以来最理想最成熟的方法。
    也是理论上最简单的方法。
    但即便是最简单的这种方法,对于碳基芯片中碳纳米管的高密度大面积排序依旧是个难以解决的问题。
    早在2019年就制备出达到大规模碳基集成电路所需的高纯、高密碳纳米管阵列材料,并采用这种材料首先实现了性能超越硅基集成电路的碳纳米管集成电路的北大彭练矛教授的团队,同样至今在因这个难题而困扰着。
    甚至为了解决这个问题,他们在着手建立专用的工业级研发线。
    因为在学校现有的实验条件下,能够制作出的最复杂的碳纳米管芯片的集成度只有几千、最多几十万个晶体管,尺寸还是微米级的。
    原本无论是英特尔还是苹果,亦或者是高通,amd等企业的高管和工程师,参加这次的产品发布会,下意识的都认为星海研究院所制备的碳基芯片就是采用的最基础的迭层技术而完成的。
    现在却突然冒出了三维立体碳纳米管阵列技术,这不由的让所有人都直接懵逼了。
    就连英特尔的总裁帕特·格尔辛格都情不自禁的咽了口唾沫,喃喃自语的说道。
    “这怎么可能!?”
    “这不可能!我不相信。”
    不由自主地将心中的震撼宣泄了出来,脸上写满震撼的格尔辛格呆滞的看着大屏上的对比图,忽然打了个激灵后回过神来,脸上的表情从震撼快速的转变成难看。
    如果说这是真的,那么对于英特尔来说,乃至对于整个硅基半导体工业领域来说都将是一场‘真正’的灾难。
    虽然说因为结构和制造工艺使得硅基芯片内部具有三维特性,但通常芯片中起关键作用的器件位于芯片的正面,也就是立方体的一个表面。
    像finfet、gaa等技术都是基于这个表面,对器件做了三维处理,成功改善了器件在低尺寸范围内的性能。
    而所谓的3d堆迭则通常是将多个芯片平行迭加,可以理解为将包含器件的表面平行放置。
    毕竟如果说将立方体的六个面全部进行工艺制作,即部分包含器件的表面是垂直或以一定角度放置,会存在性能不均、工艺难、可靠性差、成本高等一系列问题。
    但从从性能上讲,晶体立方体的不同面,会因为晶体结构、晶体制作工艺,存在不同的表面状态,会导致同一种器件在不同表面出现不同的性能。
    这就意味着三维化的碳基芯片,无论是在电路设计还是性能、亦或者是功能性上都会远超出二维平面的硅基芯片。
    对于硅基芯片来说,这毫无疑问是一场真正意义上的降维打击!
    无论从哪方面来说都是的。
    口中的呼吸声逐渐的沉重起来,那失去了聚焦的瞳孔犹如一滴墨水滴入清水中不自觉的扩散开来。
    目光落在发布会现场的大屏上,尽管因为走神已经看不清那上面的详细画面了,但帕特·格尔辛格依旧能够感受到它所带来的压迫。
    难怪华国能够有如此大的自信,敢在这场新闻发布会上释放出颠覆整个‘硅基半导体市场’的目标。
    原来
    一切的原因都在这里

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